61-26 SFVGV OFFEN
Beschafft wird die teilweise Erneuerung und Erweiterung einer bestehenden MOVPE-Anlage (metallorganische Gasphasenepitaxie) des Herstellers Aixtron mit Closed-Coupled Showerhead Reaktor für III-Nitrid und 2D-Halbleiter an der Universität Duisburg-Essen.
Zu erneuern sind die Prozesspumpe, der Showerhead Gaseinlass sowie vier Rückschlagventile.
Die Erweiterung umfasst die Integration von Leitungen für die Quellmaterialien Triethylboran und Ethen inklusive entsprechender Arbeiten am Gasversorgungssystem sowie die Steuerung durch Fluss- und Druckregler.
Die Leistung beinhaltet Lieferung, Montage, Integration, Inbetriebnahme, Funktionsprüfung, ein Update der Betriebssoftware zur Anbindung der neuen Gaskanäle sowie die Anpassung der technischen Dokumentation.
Die Anlage muss nach Abschluss die Anforderungen an Arbeitssicherheit, Brandschutz und CE-Konformität gemäß EU-Verordnung 765/2008 erfüllen und im Lecktest eine Rate von unter 10 hoch minus 9 mbar/s erreichen.
Der Auftragnehmer hat eine Ersatzteilverfügbarkeit von mindestens fünf Jahren sowie einen technischen Service mit definierten Reaktionszeiten sicherzustellen.
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Die Ausschreibung ist in 1 Lose aufgeteilt; Angebote sind je Los oder für mehrere Lose zulässig.
| Los | Leistung | Ausführung |
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| LOT-0001 | Erneuerung und Erweiterung einer MOVPE-Anlage für III-Nitrid und 2D-Halbleiter 1. Allgemeine Beschreibung: Die Universität Duisburg-Essen erforscht Materialien, Halbleitertechnologien und Modulintegration für Anwendungen in der Höchstfrequenzelektronik und in der Optoelektronik. Zur Durchführung der Forschungsarbeiten wird eine durchgängige Prozesslinie in einem Reinraum bis Klasse 5 (ISO 14644-1) betrieben. Zur Herstellung von III-Nitrid Halbleiter Bauelementen muss die vorhandene Anlage zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) der Firma Aixtron (Seriennummer CS17580) für aktuelle und kommende Forschungsprojekte teilweise erneuert und erweitert werden. Erneuert werden folgende Komponenten: - Die Prozesspumpe - Der Showerhead Gaseinlass - 4x Rückschlagventile Die Erweiterung umfasst Leitungen für die Quellmaterialien Triethylboran und Ethen, welche in die Anlage integriert werden müssen. Dazu sind für jedes Material entsprechende Arbeiten am Gasversorgungssystem (engl. gas panel) durchzuführen. Die Materialien werden durch entsprechende Fluss- und Druckregler kontrolliert in den Reaktor geführt (detailliert in der technischen Beschreibung aufgeführt). Die vollständige Beschreibung ist der Leistungsbeschreibung zu entnehmen. | — |
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