ALD System (Dielectric + Metal) (IPMS-CNT06.1) - PR867745-2480-P

1 ALD-System bestehend aus 2 Kammern inkl. Mainframe. Mainframe/ 2 Kammern inkl. Mainframe Die folgende Spezifikation beschreibt die Anforderungen an eine Anlage zur Abscheidung von Metallnitriden und dielektrischen Schichten mittels thermischer ALD-Verfahren auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm. Es wird vorausgesetzt, dass das Gerät kontinuierlich die vorgesehenen Funktionen in Übereinstimmung mit allen in dieser EPS spezifizierten Anforderungen ohne Fehlfunktionen oder Ausfälle ausführt. Darüber hinaus muss das Gerät mit allen nachfolgend beschriebenen Komponenten und Teilen geliefert werden, die notwendig sind, damit das Gerät die vorgesehenen Funktionen und Fähigkeiten in Übereinstimmung mit allen in dieser EPS festgelegten Anforderungen erfüllen kann. Optionale Leistungspositionen: 2.2.1.1.9 Basiskonfiguration Waferrotation in der Prozesskammer für bessere Homogenitätswerte vorhanden Ja/Nein (Ja ist besser bewertet) 2.2.1.1.10 Basiskonfiguration interne Lagerung von Dummywafern/Testwafern min. 10 Wafer, mehr werden höher bewertet 2.2.1.1.11 Grundkonfiguration Falls kein Speicher vorhanden, muss gewährleistet sein, dass verschiedene Wafertypen (Dummy, Test, Produkt) in einem Lauf von verschiedenen FOUPs/Loadports bearbeitet werden können (Parallelbetrieb) Ja/Nein 2.2.1.1.12 Grundkonfiguration Die Anlage ist mit einem Notch Aligner ausgestattet. Dieser verfügt über einen programmierbaren Kerbwinkel mit einer Genauigkeit von ≤0,5º für die Kerbe und ≤0,1mm für die Zentrierung Ja/Nein 2.2.1.1.13 Grundkonfiguration Cooling Station oder vergleichbare Option zur Waferkühlung (z.B. in Loadlock), dass der FOUP keine erwärmten Wafer sieht Ja/Nein 2.2.1.1.15 Basiskonfiguration Pre-Heat Station/ Pre-Heat-Chamber vorhanden Ja/Nein 2.2.1.2.5 Kassetten- und Waferspezifikation - Wafermaterial Handhabung von Quarz-Wafern Ja oder Nein 2.2.2.12 Kammer A (Oxidkammer) Option für weitere Prozessgase (z.B. NH3) min. NH3, mehr Gasanschlüsse sind besser geeignet 2.2.2.14 Kammer A (Oxidkammer) Option für parallele Bearbeitung von Wafern falls vorhanden bitte angeben, min. 2 Wafer 2.2.3.12 Kammer B (Metallnitridkammer) Option für weitere Prozessgase (z.B. O3 oder H2O), mehrere Gasanschlüsse sind höher bewertet 2.2.3.15 Kammer B (Metalnitrid-Kammer) Insitu-Reinigungsoption falls vorhanden bitte angeben 2.2.3.16 Kammer B (Metalnitrid-Kammer) Parallele Prozessoption für Wafer, falls verfügbar, bitte angeben, min. 2 Wafer 2.2.4.2 Pre-Heat-Kammer (optional) Substrat-Heizung Temperatur 400°C oder höher 2.2.4.4 Vorwärmekammer (optional) Wafer-Lagerung einer vollen Waferladung pro Kammer möglich Ja/Nein 2.2.4.5 Vorwärmekammer (optional) Prozessgas verfügbar (z. B. N2, O2), je mehr, desto besser 2.2.6.1 Subtools Pumpen sind im Angebot enthalten Ja/Nein, Typ Edwards 2.2.6.2 Unterwerkzeuge Kühler sind im Angebot enthalten Ja/Nein 2.2.6.3 Teilgeräte Ozonisator sind im Angebot enthalten Ja/Nein 2.2.6.4 Unterwerkzeuge Reiniger sind im Angebot enthalten Ja/Nein 2.2.12.2 Schnittstellengeräte Touchscreen bevorzugt Ja/Nein 3.1.3 Prozessübersicht Kammer B: BKM für thermische ALD von ZrN, HfN oder anderen Nitriden einschließlich Vorschlägen für Vorstufen Ja/Nein 4.1 Quelleninspektion Bitte bieten Sie eine Quelleninspektion an, falls vorhanden Ja/Nein 4.2.4 Installation Optionale Prozessgase für Kammer A NH3 4.2.6 Installation Optionale Prozessgase für Kammer B O3, O2, H2O, NF3 5.1.2 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Satz von Verbrauchsmaterialien (Lampen, Ventile usw., Kammersätze) Ja/Nein 5.1.3 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Offline-Rezepturverwaltungssystem Ja/Nein 5.1.4 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Bitte bieten Sie verschiedene Serviceverträge mit unterschiedlichen Leistungen / Umfang / Konditionen an. Ja/Nein 5.1.5 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Garantieverlängerung um ein weiteres Jahr. Ja/Nein