2026000322VGV OUVERT

Reaktives Ionenätzen

Autorité contractante
Freistaat Bayern, vertreten durch die Universität Erlangen-Nürnberg
Lieu d'exécution
Erlangen, Kreisfreie Stadt
Date de soumission
11. September 2026, 21:59 dans 7 jours
Prestation
CPV 31720000
Original
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Beschafft wird eine Anlage für Reaktives Ionenätzen zur Herstellung freistehender Wellenleiter mittels Faraday Cage Etching am Lehrstuhl der Universität Erlangen-Nürnberg in Erlangen.

Die Anlage muss zwei völlig unterschiedliche Ätzregime in derselben Kammer ermöglichen und dafür entkoppelte Plasmadichte sowie Ionenenergie für die p-i-n Dioden Integration bereitstellen.

Erforderlich ist eine aktive Helium-Rückseitenkühlung für nanophotonische Wellenleiter, um ein Fließen oder Verbrennen des Elektronenstrahl-Resists zu verhindern.

Für die schonende Entfernung von Oberflächenschichten ohne Eintrag neuer Defekte ist ein Soft Etch Prozess notwendig, der die Kristallqualität bei der Nachbearbeitung von FIB-implantierten Defekten erhält.

Die Gasbox muss mindestens 5 Leitungen für Fluor- und Sauerstoff-Prozesse umfassen, um sowohl reines Sauerstoff-Plasma für die Strukturierung von Solid Immersion Lenses in Diamant als auch Fluor-Chemie mit SF₆ und CHF₃ für SiC ohne Hardware-Umbau zu bearbeiten.

Gefordert ist ein Open Load-Design zur Bearbeitung kleiner Bruchstück-Proben auf Carrier-Wafern, um die Anpassung von Roboter-Handlingsystemen an irreguläre Probengeometrien zu vermeiden.

Source : Auftragsbekanntmachung.pdf , page 1 Ce texte a été généré automatiquement à partir des documents de la consultation. Il peut contenir des erreurs et ne fait pas partie de l'avis officiel — seuls les documents de la consultation font foi.
Description de l'acheteur

Für die aktuell am Lehrstuhl durchzuführenden Projekte ist die Herstellung freistehender Wellenleiter mittels "Faraday Cage Etching" zentral. Dieser komplexe Prozess erfordert zwei völlig unterschiedliche Ätzregime in derselben Kammer. Entsprechend werden Entkoppelte Plasmadichte und Ionenenergie (für p-i-n Dioden Integration) benötigt. Weitere Forschungsprojekte erfordern eine aktive Helium-Rückseitenkühlung (für nanophotonische Wellenleiter), um "Fließen" oder Verbrennen des Elektronenstrahl-Resists (E-Beam Lack) zu verhindern. Bei zusätzlichen Projekten sowie bei der Nachbearbeitung von FIB-implantierten Defekten hat die Erhaltung der Kristallqualität oberste Priorität. Hochenergetischer Ionenbeschuss würde das Gitter schädigen und die optische Kohärenz der Farbzentren zerstören. Wichtig ist die schonende Entfernung von Oberflächenschichten ("Soft Etch"), ohne neue Defekte tief in den Kristall einzutragen. Letztlich werden für die Strukturierung der Solid Immersion Lenses (SILs) in Diamant ein reines Sauerstoff-Plasma benötigt, während SiC eine Fluor-Chemie (SF₆/CHF₃) erfordert. Entsprechend notwendig ist eine Gasbox mit mindestens 5 Leitungen für Fluor- und Sauerstoff-Prozesse , um beide Materialklassen ohne Hardware-Umbau bearbeiten zu können. Ein "Open Load"-Design ist zudem für die geplante Arbeitsweise (Bearbeitung kleiner Bruchstück-Proben auf Carrier-Wafern) die technisch sinnvollste Lösung, da es im Gegensatz zu Load-Lock-Systemen keine aufwendige Anpassung von Roboter-Handlingsystemen an irreguläre Probengeometrien erfordert.

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Lot Prestation Exécution
LOT-0001 Reaktives Ionenätzen Für die aktuell am Lehrstuhl durchzuführenden Projekte ist die Herstellung freistehender Wellenleiter mittels "Faraday Cage Etching" zentral. Dieser komplexe Prozess erfordert zwei völlig unterschiedliche Ätzregime in derselben Kammer. Entsprechend werden Entkoppelte Plasmadichte und Ionenenergie (für p-i-n Dioden Integration) benötigt. Weitere Forschungsprojekte erfordern eine aktive Helium-Rückseitenkühlung (für nanophotonische Wellenleiter), um "Fließen" oder Verbrennen des Elektronenstrahl-Resists (E-Beam Lack) zu verhindern. Bei zusätzlichen Projekten sowie bei der Nachbearbeitung von FIB-implantierten Defekten hat die Erhaltung der Kristallqualität oberste Priorität. Hochenergetischer Ionenbeschuss würde das Gitter schädigen und die optische Kohärenz der Farbzentren zerstören. Wichtig ist die schonende Entfernung von Oberflächenschichten ("Soft Etch"), ohne neue Defekte tief in den Kristall einzutragen. Letztlich werden für die Strukturierung der Solid Immersion Lenses (SILs) in Diamant ein reines Sauerstoff-Plasma benötigt, während SiC eine Fluor-Chemie (SF₆/CHF₃) erfordert. Entsprechend notwendig ist eine Gasbox mit mindestens 5 Leitungen für Fluor- und Sauerstoff-Prozesse , um beide Materialklassen ohne Hardware-Umbau bearbeiten zu können. Ein "Open Load"-Design ist zudem für die geplante Arbeitsweise (Bearbeitung kleiner Bruchstück-Proben auf Carrier-Wafern) die technisch sinnvollste Lösung, da es im Gegensatz zu Load-Lock-Systemen keine aufwendige Anpassung von Roboter-Handlingsystemen an irreguläre Probengeometrien erfordert. Okt. 2026 – Juni 2027

Documents de l’appel d’offres

Procédure

Type de procédure
VGV
Publié
25. August 2026
Date limite des questions
04. September 2026
Date de soumission
11. September 2026, 21:59

Acheteur

Service
Freistaat Bayern, vertreten durch die Universität Erlangen-Nürnberg
Contact
AQUT-info@fau.de
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